封装类型

EL817S(C)(TA)-F的封装为：
类型：SOP
引脚：4
长度：6.5mm
宽度：4.58mm
厚度：3.5mm
脚位：4.3mm(S1为3.6mm)
重量：0.23g
端到端距：7.62mm
引脚间距：2.54mm

包装规格

EL817S(C)(TA)-F的包装规格为：
类型：Tape&Reel（卷带装）
每卷：1000pcs
每标准包：1卷，共1000pcs

EL817(C)产品详细规格
Rohs Lead free / RoHS Compliant
标准包装 100
频道数目 1
Input 型 DC
- 隔离电压 5000Vrms
电流传输比（最小值） 200% @ 5mA
电流传输比（最大） 400% @ 5mA
Voltage - 输出功率 35V
电流 - 输出/通道 50mA
电流 - DC正向（If） 60mA
Vce饱和（最大） 200mV
Output 型 Transistor
安装类型 Through Hole
包/盒 4-DIP (0.300, 7.62mm)
包装材料 Tube
包装 4PDIP
输出类型 DC
每个芯片的通道数 1
典型正向电压 1.2 V
最大集电极电流 50 mA
最大集电极发射极电压 35 V
最大上升时间 18 us
最大正向电压 1.4 V
最小绝缘电压 5000 Vrms
最大集电极发射极饱和电压 200 mV
最大电流传输比@电流 400 %
最大输入电流 60 mA
最大功率耗散 200 mW
最大反向电压 6 V
工作温度 -55 to 110 °C
标准包装 Rail / Tube
产品种类 Transistor Output Optocouplers
RoHS RoHS Compliant
输入类型 DC
隔离电压 5000 Vrms
电流传输比 200 % to 400 %
最大正向二极管电压 1.4 V
最大输入二极管电流 60 mA
最高工作温度 + 110 C
最低工作温度 - 55 C
封装/外壳 DIP-4
封装 Tube
正向电流 20 mA
最大下降时间 18 us
最大反向二极管电压 6 V
输出设备 NPN Phototransistor
电流 - 输出/通道 50mA
电流传输比（最小值） 200% @ 5mA
安装类型 Through Hole
电流传输比（最大） 400% @ 5mA
下的Vce饱和度（最大） 200mV
电压 - 输出 35V
通道数 1
电流 - DC正向（If ） 60mA
电压 - 隔离 5000Vrms
封装/外壳 4-DIP (0.300", 7.62mm)
RoHS指令 Lead free / RoHS Compliant

EL817C产品详细规格
匹配代码 EL817(C)
单位包 100
标准的提前期 12 weeks
VDE NY/N
最高点击率 400%
min.oper.temp 。 -55°C
上升时间 0.004ms
通道 1
CTR在如 5mA
P（ TOT ）最大 200mW
汽车 NO
正向volt.ty 1.2V
Iso.voltage 5000Vrms
CTR分钟 200%
CTR在Vce时 5V
包装 THT
V（ ECO ） 6V
V（ CEO ） 35V
最小起订量 100
封装 TUBE
max.oper.temp 。 110°C
第一包 DIP-4
下降时间 0.003ms

贴片光耦